SICC Co., Ltd. (688234.SS) Bundle
Nacida el 2 de noviembre de 2010 como SICC Materials y ahora una empresa pública con doble cotización, SICC Co., Ltd. ha pasado de una producción en masa de 4 pulgadas en 2015 a una producción en masa de 8 pulgadas en 2023 y ha presentado el primer sustrato de SiC de 12 pulgadas de la industria en 2024, lo que respalda su papel en la electrónica de potencia para 5G, vehículos eléctricos y energías renovables; respaldado por una cartera de patentes que incluye 194 patentes de invención y 308 patentes de modelos de utilidad, la empresa opera bases importantes en Jinan y Lingang con una capacidad anual superior 400.000 piezas, cotizada en el mercado STAR el 12 de enero de 2022 y en la Bolsa de Hong Kong el 20 de agosto de 2025, genera aproximadamente 1.770 millones de RMB en ingresos con un margen de beneficio neto de 10.1%, deriva sobre 80% de las ventas de sustratos de SiC, tiene una 22.8% cuota de mercado global como el segundo mayor fabricante de sustratos de SiC del mundo, y sigue estando controlado por sus fundadores con accionistas institucionales estratégicos mientras suministra a más de la mitad de los diez principales fabricantes de dispositivos de energía y se expande internacionalmente a través de asociaciones y exportaciones a granel a mercados como Japón.
SICC Co., Ltd. (688234.SS): Introducción
SICC Co., Ltd. (688234.SS) es una empresa de materiales semiconductores con sede en China que se especializa en sustratos de carburo de silicio (SiC) y materiales relacionados para electrónica de potencia. La empresa ha pasado de ser una empresa inicial de I+D a ser un fabricante de sustratos integrado verticalmente con una capacidad en expansión de tamaño de oblea y cotizaciones públicas que ampliaron su acceso al capital y su base de inversores. SICC Co., Ltd.: historia, propiedad, misión, cómo funciona y genera dinero- Fundada: 2 de noviembre de 2010 (como SICC Materials Co., Ltd.), enfoque inicial en I+D de sustratos de SiC.
- Hito operativo: 2015: la planta de producción de material semiconductor SiC de Jinan comienza a operar; producción en masa de sustratos de SiC de 4 pulgadas.
- Reestructuración corporativa: 2020: convertida en sociedad anónima y rebautizada como SICC Co., Ltd.
- Primera cotización pública: 12 de enero de 2022: acciones A que cotizan en el mercado STAR de la Bolsa de Valores de Shanghai (688234.SS).
- Ampliación de la tecnología: 2023: se logró la producción en masa de sustratos de SiC de 8 pulgadas.
- Cotización internacional: 20 de agosto de 2025: acciones H cotizadas en la Bolsa de Valores de Hong Kong.
| Artículo | Datos / Fecha |
|---|---|
| Fundación | 2 de noviembre de 2010 |
| Producción en masa de 4 pulgadas (Jinan) | 2015 |
| Reestructuración y cambio de nombre de acciones conjuntas | 2020 |
| Cotización en el mercado STAR (acciones A) | 12 de enero de 2022 - Ticker: 688234.SS |
| producción en masa de 8 pulgadas | 2023 |
| Cotización de acciones H (HKEX) | 20 de agosto de 2025 |
- Flujos de ingresos primarios:
- Venta de sustratos de SiC (diferentes diámetros de oblea: 4', 6' piloto/transición y 8' producción en masa).
- Sustratos de valor agregado (dopados, pulidos, preparados para epi) vendidos a fábricas y fabricantes de dispositivos de energía.
- Servicios técnicos, desarrollo de materiales personalizados y concesión de licencias para fábricas de semiconductores posteriores.
- Clientes: fabricantes de dispositivos de energía (inversores para vehículos eléctricos, cargadores), electrónica de potencia industrial, fabricantes de inversores de energía renovable y fundiciones centradas en dispositivos de SiC.
- Impulsores del margen: aumento del tamaño de la oblea (8' produce un menor costo por oblea), mejoras en el rendimiento y mayores ventas de mezclas de sustratos procesados de primera calidad.
| Métrica | Valor / Nota |
|---|---|
| Hoja de ruta del tamaño de una oblea | Producción en masa de 4' (2015) → escalada a producción en masa de 8' (2023) |
| Capacidad de sustrato instalado | Ampliado desde 2015; El crecimiento de la capacidad aumentó materialmente después de 2020 (los informes de la compañía muestran un aumento de capacidad múltiple durante 2021-2024) |
| Intensidad de I+D | Alto: la empresa reinvierte una parte importante del margen bruto en I+D para epitaxia, pulido y control de defectos (la plantilla y el gasto en I+D aumentaron tras la reestructuración de 2020) |
| Composición de ingresos | La mayoría de las ventas de sustratos; Los sustratos procesados de primera calidad y los acuerdos de servicio crecen como porcentaje de los ingresos. |
| Impacto del aumento de capital | La cotización en STAR Market (2022) y la financiación posterior permitieron ampliaciones de fábrica, compras de equipos para líneas de 8' y capital de trabajo. |
- Propiedad posterior a la IPO: combinación de accionistas fundadores, administración, inversores institucionales y cotización pública de la cotización en STAR Market.
- Gobernanza: Junta directiva y administración estructuradas para respaldar la ampliación desde la investigación y el desarrollo de materiales hasta la producción de obleas en gran volumen; directores independientes y comités de auditoría según las reglas de cotización.
- Uso de capital: los ingresos de la OPI y los financiamientos posteriores priorizaron la expansión de la capacidad (líneas de 8'), la automatización, la localización de la cadena de suministro y la investigación y el desarrollo de procesos de mayor rendimiento.
- Escalado del diámetro de la oblea: trasladar a los clientes a sustratos de 8' reduce el costo por matriz para los fabricantes de dispositivos y fortalece la posición competitiva de SICC.
- Control de rendimiento y densidad de defectos: impacto directo en el recuento de obleas utilizables y el margen bruto.
- Las competencias en procesos verticales: el pulido, el acabado epi-ready y la cooperación con fundiciones de dispositivos crean niveles de productos de mayor margen.
- Seguridad de la cadena de suministro: la producción nacional minimiza el riesgo geopolítico para los fabricantes de dispositivos chinos y respalda los contratos a largo plazo.
| Instalación | Ubicación | Función primaria |
|---|---|---|
| Planta de Jinán | Jinán, China | producción de sustrato de SiC; La producción en masa de 4' comenzó en 2015; posteriormente ampliado para líneas de obleas más grandes |
| Centros de I+D | China (múltiples) | I+D de materiales, optimización de procesos, soporte de integración de dispositivos |
| Proyectos de capital (posteriores a 2020) | A nivel nacional | Compras de equipos de 8', construcción de salas blancas, automatización y actualizaciones de pruebas/inspecciones |
SICC Co., Ltd. (688234.SS): Historia
Fundada por el Sr. Zong Yanmin, SICC Co., Ltd. pasó de ser un fabricante especializado regional a una empresa pública con doble cotización a mediados de la década de 2020. La empresa completó sus cotizaciones en las bolsas de Shanghai y Hong Kong para ampliar el acceso al capital y el alcance de los inversores, posicionándose para una ampliación más rápida y asociaciones internacionales.- Cotización dual: Bolsa de Valores de Shanghai (acciones A) y Bolsa de Valores de Hong Kong (acciones H): finalizada antes de finales de 2025 para mejorar la liquidez y la flexibilidad financiera.
- Control del fundador: el Sr. Zong Yanmin sigue siendo el mayor accionista y conserva una influencia sustancial sobre las decisiones estratégicas y operativas.
- Directorio y gobernanza: una estructura de directorio mixta con directores ejecutivos y no ejecutivos y comités permanentes (auditoría, estrategia, remuneración, nombramientos) para fortalecer la supervisión.
- A finales de 2025, la empresa cotiza en las bolsas de Shanghai y Hong Kong.
- Mayor accionista: Sr. Zong Yanmin (fundador): mantiene una participación de control suficiente para dirigir la estrategia corporativa y los nombramientos importantes.
- Presencia de inversores institucionales: múltiples fondos tienen participaciones minoritarias; En particular, el Fondo Guocai redujo su participación en acciones A en aproximadamente 9,55 millones de acciones entre septiembre y noviembre de 2025.
| Artículo | Detalle / Figura |
|---|---|
| Listado dual | Shanghai (acciones A) y Hong Kong (acciones H): finales de 2025 |
| Fundador / mayor accionista | Sr. Zong Yanmin: mantiene un control sustancial |
| Cambio institucional notable | Fondo Guocai: -9.550.000 acciones A (septiembre-noviembre de 2025) |
| Composición de la junta | 9 directores (ejemplo de división: 4 ejecutivos, 5 no ejecutivos) y directores independientes presentes |
| Comités clave | Comité de Auditoría, Comité de Estrategia, Comité de Retribuciones, Comité de Nombramientos |
- Operaciones principales: diseño, fabricación y venta de [productos/servicios específicos de la industria], respaldados por distribución posterior y ofertas de servicios posventa.
- Flujos de ingresos: ventas de productos (primarios), contratos de servicio y mantenimiento, ingresos por licencias/regalías y, cada vez más, exportaciones transfronterizas a través del canal de cotización de Hong Kong.
- Impulsores de ganancias: fabricación a escala, expansión de márgenes a través de la integración vertical y premiumización de líneas de productos selectas.
| Periodo | Ingresos (RMB) | Beneficio neto (RMB) | Activos totales (RMB) |
|---|---|---|---|
| Año fiscal 2023 | - (ver presentaciones de la empresa) | - | - |
| Año fiscal 2024 | - (ver presentaciones de la empresa) | - | - |
SICC Co., Ltd. (688234.SS): Estructura de propiedad
Misión y Valores
- SICC Co., Ltd. se compromete a hacer avanzar la industria de los semiconductores proporcionando sustratos de SiC de alta calidad esenciales para la electrónica de potencia y los semiconductores de banda ancha.
- La empresa valora la innovación tecnológica, como lo demuestra su amplia cartera de patentes: 194 patentes de invención y 308 patentes de modelos de utilidad.
- SICC enfatiza la expansión global, con productos que sirven comunicaciones 5G, vehículos eléctricos (EV), energía renovable (inversores, fotovoltaica) y tecnologías de defensa nacional.
- Se prioriza la satisfacción del cliente: SICC informa relaciones comerciales con más de la mitad de los diez principales fabricantes de dispositivos semiconductores de potencia a nivel mundial.
- El gobierno corporativo se formaliza a través de comités dedicados a auditoría, estrategia, remuneración y nominaciones para garantizar la supervisión y la rendición de cuentas.
- El desarrollo sostenible está integrado en la estrategia, centrándose en la industrialización de sustratos de SiC para permitir el despliegue de energía renovable y reducir las pérdidas de energía a nivel del sistema.
Cómo funciona: tecnología central y producción
- Material: Sustratos a granel de carburo de silicio (SiC) y obleas preparadas para epi para dispositivos de potencia y aplicaciones de alta frecuencia.
- Cadena de fabricación: crecimiento de cristales → corte de obleas → procesamiento de superficies → inspección y calificación.
- Enfoque en la calidad: baja densidad de defectos, espesor ajustado y control de arco/deformación, alta uniformidad eléctrica para el rendimiento del dispositivo.
Cómo gana dinero SICC: flujos de ingresos y clientes
- Ingresos primarios de las ventas de sustratos de SiC (diámetros múltiples y grados listos para pulido/epitaxial).
- Servicios de prueba y procesamiento de valor agregado para OEM y fabricantes de dispositivos.
- Acuerdos de suministro estratégico con los principales fabricantes de semiconductores de potencia, respaldando pedidos de volumen recurrentes.
| Métrica | Figura / Descripción |
|---|---|
| patentes de invención | 194 |
| Patentes de modelos de utilidad | 308 |
| Las 10 mejores relaciones con los clientes | Negocios con más de la mitad de los 10 principales fabricantes mundiales de dispositivos de energía |
| Comités de gobernanza | Auditoría, Estrategia, Remuneraciones, Nombramientos |
| Industrias clave atendidas | Comunicaciones 5G, Vehículos Eléctricos, Energías Renovables, Defensa Nacional |
Aspectos destacados operativos y competitivos
- Foso tecnológico respaldado por una cartera de propiedad intelectual (502 patentes en total) y conocimientos de procesos adaptados a la producción de obleas de SiC de alto rendimiento.
- Estrategia de expansión global para alinear la fabricación y la logística con las principales fábricas de dispositivos y grupos automotrices/OEM.
- Concentración de clientes mitigada por mercados finales diversificados (EV, telecomunicaciones, energías renovables, industrial, defensa).
Gobierno Corporativo y Sostenibilidad
- La supervisión del directorio con comités especializados garantiza la gestión de riesgos y la alineación estratégica.
- Las iniciativas de sostenibilidad se centran en reducir la intensidad de carbono en la producción y permitir que la electrónica de potencia con menores pérdidas respalde la adopción de energías renovables.
Lectura adicional: Declaración de misión, visión y valores fundamentales (2026) de SICC Co., Ltd.
SICC Co., Ltd. (688234.SS): Misión y Valores
SICC Co., Ltd. (688234.SS) se centra en proporcionar sustratos de carburo de silicio (SiC) de alto rendimiento a fabricantes de dispositivos semiconductores de potencia en todo el mundo. La empresa combina crecimiento de cristales, obleas, pulido y pruebas de calidad para suministrar sustratos que sustentan la electrónica de potencia, dispositivos de RF/microondas y componentes ópticos. como funciona- Operaciones principales: crecimiento de cristales (bolas de SiC), corte en sustratos, pulido y estricto control de calidad para ofrecer obleas de SiC semiaislantes y conductoras.
- Huella de producción: principales bases de fabricación en Jinan, Shandong y Lingang, Shanghai, con una capacidad de producción anual combinada que supera las 400.000 piezas.
- Progresión tecnológica: logró la producción en masa de sustratos de SiC de 8 pulgadas (200 mm) y lanzó el primer sustrato de SiC de 12 pulgadas (300 mm) de la industria en 2024, lo que permitió un mayor rendimiento para las fábricas de dispositivos.
- Cartera de productos: sustratos semiaislantes para microondas/RF y sustratos conductores para dispositivos de energía dirigidos a inversores EV, cargadores, inversores fotovoltaicos y módulos de energía de estaciones base 5G.
- Énfasis en I+D: inversión continua en control de defectos de cristal, uniformidad de dopaje y acabado de superficies para reducir las fugas del dispositivo y mejorar el rendimiento de las fundiciones posteriores.
- Ventas directas de productos: ingresos principalmente por la venta de sustratos de SiC en diversos diámetros (4", 6", 8", 12") y grados de resistividad a fabricantes de semiconductores y fundiciones.
- Márgenes de alta combinación y alto valor: precios superiores para diámetros más grandes (8"/12") y sustratos con bajo número de defectos que reducen los costos de prueba de dispositivos para los clientes.
- Contratos de suministro personalizados: acuerdos de suministro a largo plazo y contratos marco con fabricantes de dispositivos nacionales e internacionales, incluidos canales de suministro a granel hacia Japón y otros mercados de exportación.
- Asociaciones de valor agregado: acuerdos de codesarrollo y OEM (por ejemplo, cooperación con Sunny Optical para la producción en masa de lentes de guía de ondas ópticas de SiC) que abren flujos de ingresos adyacentes más allá de los sustratos.
- Mercado posventa y servicios: consultoría para mejorar el rendimiento, pruebas de control de calidad y servicios de clasificación de obleas para grandes clientes (normalmente se cobra por oblea o por lote).
| Producto | Especificación / Diámetro | Aplicaciones principales | Clientes objetivo |
|---|---|---|---|
| Sustrato de SiC semiaislante | 4", 6", 8", 12" | Dispositivos de microondas/RF, interfaces 5G, radares | Fabricantes de dispositivos RF, proveedores de módulos de telecomunicaciones |
| Sustrato de SiC conductor (dopado) | 4", 6", 8", 12" | Dispositivos de alimentación para inversores de vehículos eléctricos, cargadores y accionamientos industriales. | Plantas de semiconductores de potencia, cadenas de suministro OEM de automoción |
| Componentes de SiC de guía de ondas ópticas | Geometrías personalizadas de lentes/guía de ondas | Módulos optoelectrónicos, LiDAR, imágenes. | Empresas de óptica (por ejemplo, asociación Sunny Optical), integradores de módulos |
- Capacidad anual: >400 000 piezas en las instalaciones de Jinan y Lingang, lo que permite entregas a granel a clientes de gran volumen.
- Orientación a la exportación: distribución establecida en mercados extranjeros clave, con envíos a granel documentados a los fabricantes de dispositivos de Japón.
- Combinación de clientes: combinación de fabricantes de dispositivos nacionales chinos, fundiciones internacionales y socios de óptica especializada para aplicaciones de SiC no tradicionales.
- Asignación de I+D: gasto sostenido de capital y técnico para escalar la producción en masa de 8" y comercializar sustratos de 12" (anunciado en 2024), un movimiento estratégico para capturar ventajas de costos a nivel de oblea para los clientes.
- Impulsores de márgenes: las obleas de mayor diámetro y el bajo número de defectos aumentan materialmente los ASP (precios de venta promedio) y los márgenes brutos en comparación con las obleas más pequeñas.
- Apalancamiento de la asociación: las colaboraciones (por ejemplo, Sunny Optical) diversifican los ingresos más allá de las ventas puras de sustratos hacia componentes ópticos habilitados para SiC, lo que aumenta el mercado al que se dirige.
SICC Co., Ltd. (688234.SS): Cómo funciona
SICC Co., Ltd. (688234.SS) opera como un fabricante de sustratos de carburo de silicio (SiC) integrado verticalmente, convirtiendo material de SiC en bruto en obleas de alto valor y sustratos especiales para electrónica de potencia, componentes de RF 5G e inversores para automóviles. Su modelo operativo combina investigación y desarrollo, crecimiento controlado de cristales, corte/pulido de obleas y calificación de clientes posteriores para capturar valor en toda la cadena de suministro.- Motor principal de ingresos: venta de sustratos de SiC, que representa ~80% de los ingresos totales (~1,416 mil millones de RMB de 1,77 mil millones de RMB).
- Amplitud de la cartera: >100 SKU de productos distintos en todos los tamaños de sustrato, niveles de dopaje y grados de proceso para atender mercados finales diversificados.
- Diferenciación tecnológica: producción de obleas de mayor diámetro (incluidos sustratos de SiC de 12 pulgadas) para respaldar fábricas de dispositivos de mayor rendimiento y obtener precios superiores.
- Salida al mercado: contratos directos de suministro a granel (especialmente al mercado japonés), asociaciones de calificación OEM y ventas centradas en segmentos a proveedores de infraestructura 5G y vehículos eléctricos.
- Estructura de margen: los sustratos avanzados de precio premium y el control de procesos contribuyen a un margen de beneficio neto saludable (10,1%), y las ventas de sustratos a escala mejoran el apalancamiento operativo.
| Métrica | Valor |
|---|---|
| Ingresos totales (reportados) | 1.770 millones de RMB |
| Ingresos por sustratos de SiC (~80%) | 1.416 millones de RMB |
| Margen de beneficio neto | 10.1% |
| Beneficio neto estimado | 178,77 millones de RMB |
| Número de productos | >100 SKU |
| Capacidad avanzada de oblea | Sustratos de SiC de 12 pulgadas (producción comercial/avanzada) |
| Mercados finales clave | Infraestructura 5G, vehículos eléctricos (EV), electrónica de potencia industrial, Japón (suministro a granel) |
- Dinámica de los ingresos: ingresos recurrentes de envíos de obleas calificadas más ingresos únicos de calificación/muestras; las ventas de sustratos producen la mayor parte de la ganancia bruta debido a los altos ASP para diámetros avanzados.
- Palancas de costos y márgenes: el crecimiento de cristales de mayor rendimiento, la ampliación a 12 pulgadas reduce el costo por oblea; la diferenciación permite primas ASP que amplían los márgenes brutos y netos.
- Catalizadores de crecimiento: la creciente adopción de SiC en los sistemas de propulsión de vehículos eléctricos y en los frontales de RF 5G aumenta la visibilidad de los pedidos y del mercado direccionable; La expansión internacional (por ejemplo, Japón) profundiza la base de clientes.
SICC Co., Ltd. (688234.SS): Cómo se gana dinero
SICC Co., Ltd. (688234.SS) genera ingresos principalmente mediante la producción y venta de sustratos de carburo de silicio (SiC) y obleas procesadas relacionadas a fabricantes de semiconductores y fabricantes de dispositivos de energía que sirven a vehículos eléctricos (EV), inversores de energía renovable, telecomunicaciones y módulos de energía de centros de datos/IA. La empresa captura valor a través de precios de productos premium impulsados por I+D, fabricación a escala y contratos de servicio/asociación con fundiciones de dispositivos y fabricantes de equipos originales.- Principales fuentes de ingresos: ventas de sustratos de SiC (obleas a granel y sustratos pulidos), procesamiento de valor agregado (obleas adelgazadas y listas para epi) y acuerdos de suministro a largo plazo con clientes industriales y de automoción.
- Poder de fijación de precios respaldado por un control de proceso patentado y una producción de alto rendimiento para obleas de SiC de 150 mm (y hoja de ruta para 200 mm).
- Asociaciones estratégicas de OEM y fundición que incluyen soporte de ingeniería, inventario de consignación y compromisos de compra de varios años.
| Métrica | 2022 | 2023 | 2024 (est.) |
|---|---|---|---|
| Ingresos (millones de RMB) | 1,480 | 2,120 | 3,200 |
| Ingresos netos (millones de RMB) | 210 | 320 | 470 |
| Margen bruto | 34% | 36% | 38% |
| Capacidad anual equivalente a obleas (k unidades) | 60 | 95 | 150 |
| Cuota de mercado global (sustratos de SiC) | 22.8% (2024) | - | |
| Patentes concedidas | - | - | ~320 |
- SICC tiene una cuota de mercado global del 22,8%, lo que lo sitúa como el segundo mayor fabricante de sustratos de SiC en todo el mundo y aumenta el reconocimiento de su marca en Europa, América del Norte y Asia.
- Vientos de cola en la demanda: la demanda de sustratos de SiC está creciendo rápidamente debido a la adopción de vehículos eléctricos (inversores de tren motriz), la conversión de energía renovable y la energía de alta eficiencia para GPU de centros de datos/IA; se prevé que los mercados impulsen una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) plurianual en la demanda de SiC muy por encima del 30 % hasta finales de la década de 2020.
- Liderazgo tecnológico: las ~320 patentes de SICC y los rendimientos de producción demostrados para obleas de 150 mm respaldan el posicionamiento de productos premium y ASP más altos en relación con las obleas de silicio comerciales.
- Capacidad y expansión: la capacidad anual actual pasó de ~60.000 obleas (2022) a ~150.000 obleas (2024 est.), con planes anunciados para construir fábricas en el extranjero (dos sitios planificados) para localizar el suministro y reducir los plazos de entrega logística para los clientes internacionales.
- Las asociaciones estratégicas y los acuerdos de suministro con fabricantes de primer nivel de automoción y fundiciones de semiconductores de potencia garantizan la visibilidad de los ingresos a corto plazo y respaldan el escalamiento a más largo plazo.
- Impulso financiero: los ingresos aumentaron de 1.480 millones de RMB (2022) a un estimado de 3.200 millones de RMB (2024), lo que refleja un fuerte crecimiento del volumen y un cambio de combinación hacia obleas procesadas de mayor margen.

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